普拉勒金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器介紹  

一、產(chǎn)品概述  

普拉勒金剛石MPCVD氫氣發(fā)生器是一款專為金剛石薄膜制備設(shè)計的先進(jìn)設(shè)備，采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）技術(shù)，結(jié)合高效氫氣生成系統(tǒng)，為金剛石生長提供穩(wěn)定、純凈的氫氣環(huán)境。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、機(jī)械加工等領(lǐng)域，是高性能金剛石薄膜制備的理想選擇。
 

二、核心特點  

1. 高效氫氣生成  

1）采用先進(jìn)的電解水技術(shù)，高效生成高純度氫氣（純度≥99.999%），滿足金剛石薄膜制備的嚴(yán)格要求。  

2）氫氣產(chǎn)量穩(wěn)定，可根據(jù)實驗需求靈活調(diào)節(jié)，確保實驗過程的連續(xù)性和穩(wěn)定性。  

2. MPCVD技術(shù)優(yōu)勢  

1）微波等離子體技術(shù)提供均勻的高能量密度，促進(jìn)金剛石薄膜的高質(zhì)量生長。  

2）等離子體環(huán)境可控性強(qiáng)，支持多種氣體混合，適應(yīng)不同金剛石薄膜的制備需求。  

3. 智能化控制  

1）配備先進(jìn)的PLC控制系統(tǒng)，實現(xiàn)氫氣流量、壓力、溫度等參數(shù)的精確控制。  

2）支持多段程序設(shè)定，自動化操作，減少人為干預(yù)，提高實驗效率。  

4. 安全可靠  

1）配備多重安全保護(hù)功能，包括過壓保護(hù)、漏氣保護(hù)、過溫保護(hù)等，確保設(shè)備運行安全。  

2）采用防爆設(shè)計和優(yōu)質(zhì)材料，適應(yīng)高能量密度環(huán)境，延長設(shè)備使用壽命。  

三、技術(shù)參數(shù)  

1）氫氣純度：≥99.999%  

2）氫氣流量：0-1000 sccm（可調(diào)）  

3）工作壓力：0.1-100 kPa（可調(diào)）  

4）電源功率：3-5 kW  

5）冷卻方式：水冷/風(fēng)冷  

四、應(yīng)用領(lǐng)域  

1. 半導(dǎo)體行業(yè)：用于制備高性能金剛石薄膜，提升半導(dǎo)體器件的散熱性能和電學(xué)性能。  

2. 光學(xué)領(lǐng)域：用于制備高透光率、高硬度的金剛石薄膜，應(yīng)用于光學(xué)窗口、激光器等。  

3. 機(jī)械加工：用于制備超硬金剛石涂層，提高刀具、模具的耐磨性和使用壽命。